Mercado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (WBG): tamaño, cuota de mercado y previsiones 2034

El mercado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (WBG, por sus siglas en inglés) estaba valorado en 2760 millones de dólares estadounidenses en 2025 y se espera que alcance los 14 340 millones de dólares estadounidenses en 2034; se estima que registrará una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 20,09 % durante el período 2026-2034.

Evaluación y perspectivas del mercado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (WBG, por sus siglas en inglés)

El mercado está evolucionando desde la conversión de energía dominada por el silicio hacia arquitecturas que combinan carburo de silicio y nitruro de galio con controladores de puerta avanzados, gestión térmica, encapsulado y electrónica de control. La mayor adopción se ve facilitada por diámetros de oblea más grandes, epitaxia mejorada, menor densidad de defectos, cualificación para la industria automotriz e integración de módulos. El progreso de Infineon en la fabricación de SiC de 200 mm y su hoja de ruta para GaN de 300 mm ilustran el cambio de la industria hacia la producción escalable, mientras que STMicroelectronics ofrece soporte para dispositivos SiC en diversas clases de voltaje que alcanzan los 2200 V. Estos avances mejoran la eficiencia y reducen el tamaño del sistema.

El desarrollo orientado al futuro se concentra cada vez más en centros de datos de IA, movilidad eléctrica, convertidores de energía renovable, protección de circuitos de estado sólido e infraestructura de corriente continua de alta tensión. Según el pronóstico del mercado de dispositivos de potencia de banda ancha , el énfasis regulatorio en la eficiencia energética, la resiliencia regional de los semiconductores y la descarbonización está impulsando la inversión en tecnologías de potencia avanzadas. Se espera que la combinación de incentivos a la fabricación nacional, acuerdos de suministro a largo plazo y cualificaciones específicas para cada aplicación amplíe su implementación más allá de los sistemas premium, abarcando equipos industriales convencionales e infraestructura de carga.

Alcance del informe de mercado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (WBG)

Análisis del mercado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (WBG, por sus siglas en inglés)

La demanda está siendo moldeada por la necesidad de transmitir más energía eléctrica a través de sistemas más pequeños, eficientes y con menor temperatura. El carburo de silicio es especialmente adecuado para la conmutación de alto voltaje, inversores de tracción, cargadores rápidos, convertidores fotovoltaicos y equipos de red, mientras que el nitruro de galio resulta cada vez más atractivo en aplicaciones donde la alta frecuencia de conmutación y los formatos compactos son prioritarios. Por lo tanto, el crecimiento del mercado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha depende de la economía del sistema, más que de la mera sustitución de semiconductores.

La cadena de valor abarca la producción de sustratos, la epitaxia, la fabricación de obleas, el procesamiento de dispositivos, el encapsulado, los componentes de control de puerta, el ensamblaje de módulos, la integración en sistemas de potencia y la cualificación del usuario final. La escala de fabricación se está convirtiendo en un factor estratégico diferenciador, ya que el rendimiento, la utilización de las obleas, el encapsulado térmico y la fiabilidad determinan el sobreprecio con respecto al silicio. En consecuencia, los proveedores están ampliando su producción interna, cualificando obleas de mayor tamaño y desarrollando dispositivos integrados para reducir la complejidad de la lista de materiales, al tiempo que mejoran la fiabilidad y la flexibilidad del diseño.

El posicionamiento competitivo se está orientando hacia carteras completas de sistemas de potencia en lugar de componentes discretos individuales. El análisis del mercado de dispositivos de potencia de banda ancha indica que Infineon Technologies AG, STMicroelectronics NV, Wolfspeed, Inc., ROHM Co., Ltd., Texas Instruments Incorporated, Littelfuse, Inc. y United Silicon Carbide, Inc. están haciendo hincapié en combinaciones de dispositivos, encapsulado, soporte de aplicaciones y capacidad de fabricación. GeneSiC Semiconductor, Inc. y Microsemi Corporation aportan capacidades especializadas de alto voltaje, mientras que Exagan añade su experiencia en GaN.

La inversión se dirige cada vez más a la fabricación a escala de oblea, la integración vertical, los módulos específicos para aplicaciones y la ingeniería de confiabilidad. Las empresas también buscan la certificación para el sector automotriz, diseños de referencia para centros de datos y alianzas con fabricantes de sistemas. Por lo tanto, el panorama del mercado de dispositivos de potencia de banda ancha se está integrando cada vez más, y la ventaja competitiva depende cada vez más de la garantía de suministro, el rendimiento del dispositivo, la velocidad de certificación y la capacidad de codiseñar semiconductores con arquitecturas de potencia.

Mercado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (WBG): Perspectivas estratégicas

Perspectivas regionales

Mercado norteamericano de dispositivos de potencia de banda ancha

Se estima que Norteamérica representará entre el 28 % y el 32 % de la demanda del mercado de dispositivos de potencia de banda ancha para 2025 , con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 20 % al 23 % hasta 2034. La región cuenta con fortalezas en el diseño de semiconductores, el crecimiento de la capacidad de los centros de datos de inteligencia artificial, la tecnología de vehículos eléctricos, la generación de energías renovables y la automatización industrial. Estados Unidos sigue siendo el principal consumidor, mientras que Canadá brinda su apoyo a través de la infraestructura energética, la minería, la electrificación y las tecnologías limpias. Las iniciativas federales y estatales destinadas a invertir en semiconductores también promueven la producción local y la diversificación de la cadena de suministro.

Una de las aplicaciones clave son los centros de datos, ya que el creciente consumo de energía de los racks exige una conversión y distribución eficiente de la electricidad a diferentes voltajes. La industria automotriz se beneficia de las plataformas de vehículos de 800 V, la infraestructura de carga y los inversores de tracción. El sector energético utiliza convertidores para la generación de energía renovable, el almacenamiento de energía y la infraestructura de la red eléctrica. Esto convierte a Norteamérica en un mercado de alto valor añadido donde el rendimiento, la fiabilidad, la localización y la certificación se convierten en factores cada vez más importantes a la hora de adquirir proveedores de sistemas.

Mercado estadounidense de dispositivos de potencia de banda ancha

Estados Unidos representa aproximadamente entre el 68 % y el 72 % del mercado norteamericano de dispositivos de potencia de banda ancha para 2025 , y se prevé que crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 21 % al 24 % hasta 2034. La demanda interna se ve impulsada por los centros de datos de IA, los vehículos eléctricos, los sistemas aeroespaciales, la conversión de energías renovables y los accionamientos de motores industriales. Empresas como Wolfspeed, Inc., Texas Instruments Incorporated, Littelfuse, Inc. y otros proveedores mantienen importantes actividades tecnológicas o de fabricación.

Las tendencias de aplicación favorecen cada vez más los módulos de SiC de alto voltaje para sistemas de tracción, carga y redes eléctricas, mientras que el GaN está ganando relevancia en fuentes de alimentación compactas para servidores, robótica y convertidores de alta frecuencia. La política estadounidense de semiconductores también fomenta la capacidad local, creando oportunidades para cadenas de suministro integradas verticalmente. Por lo tanto, el mercado está determinado tanto por la demanda de las aplicaciones como por los esfuerzos estratégicos para mejorar la disponibilidad nacional de dispositivos de potencia avanzados.

Mercado europeo de dispositivos de potencia de banda ancha

Se prevé que Europa alcance una cuota de mercado del 22-26% en el mercado de dispositivos de potencia de banda ancha en 2025 y que experimente un crecimiento anual compuesto del 21-24% hasta 2034. La demanda en Alemania se debe a su industria automotriz y al sector de la automatización industrial. El Reino Unido, Francia, Italia y España desempeñarán un papel importante en el crecimiento europeo gracias a sus capacidades en electrificación, energías renovables, sector aeroespacial, estaciones de carga y modernización industrial. Se prevé que Alemania continúe siendo líder del mercado a medida que los clientes de los sectores automotriz e industrial adopten cada vez más inversores y cargadores basados ​​en SiC.

También existe cierta influencia en la demanda europea debido a los requisitos de eficiencia energética y las políticas de descarbonización. Francia es un mercado importante gracias a su infraestructura eléctrica y la electrificación del transporte, mientras que Italia y España ofrecen sus capacidades en generación solar, equipos industriales y movilidad eléctrica. El Reino Unido contribuye a fomentar la adopción a través de centros de datos, energías renovables e ingeniería eléctrica.

Mercado de dispositivos de potencia de banda ancha en la región Asia-Pacífico

Se prevé que la región de Asia-Pacífico represente entre el 36 % y el 40 % de la cuota de mercado de dispositivos de potencia de banda ancha en 2025 y crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 24 % al 27 % hasta 2034. China impulsa la demanda regional gracias a los coches eléctricos, las energías renovables, la automatización industrial y la fabricación de semiconductores. Japón y Corea del Sur ofrecen sus ecosistemas de automoción, electrónica y dispositivos de potencia, mientras que India está desarrollando su infraestructura de energías renovables y sus iniciativas de electrificación. También existen aplicaciones en Australia en los sectores de minería, almacenamiento de energía y redes inteligentes.

Las medidas políticas, la localización de la producción y el aumento de la producción electrónica impulsan la adopción de estas tecnologías. Los fabricantes de la región están incrementando su capacidad de producción de SiC y GaN, mientras que los fabricantes de sistemas buscan convertidores más eficientes.

Mercado de dispositivos de potencia de banda ancha en Oriente Medio y África

Se prevé que la demanda del mercado de dispositivos de potencia de banda ancha en Oriente Medio y África crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 18-21% hasta 2034. Arabia Saudita y los Emiratos Árabes Unidos son centros importantes debido a la diversificación energética, las inversiones en centros de datos y la modernización de la infraestructura. Sudáfrica es un centro clave debido a la demanda de energía generada por la minería, las energías renovables y la conversión de energía industrial, mientras que el resto de Oriente Medio y África (RoMEA) lo es gracias a las inversiones en energía distribuida y desarrollo de redes eléctricas.

Las operaciones a altas temperaturas, el almacenamiento, la generación solar y la electrificación favorecen el uso de dispositivos de potencia. Los Emiratos Árabes Unidos lideran la adopción de dispositivos de potencia avanzados gracias a las inversiones en infraestructura de datos y energía limpia, mientras que Arabia Saudita ofrece amplias oportunidades a través de proyectos industriales y de servicios públicos.

Análisis de segmentación

Material

La selección de materiales determina la capacidad de voltaje, la frecuencia de conmutación, el rendimiento térmico, el costo y la idoneidad de la aplicación. Se espera que el segmento crezca a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 22-25% durante el período 2026-2034. El SiC sigue siendo el material más fuerte en sistemas de alta potencia, mientras que el GaN está ganando terreno rápidamente en la conversión compacta de alta frecuencia. Los desarrolladores de dispositivos también están evaluando materiales alternativos para aplicaciones especializadas. Las tendencias actuales del mercado de dispositivos de potencia de banda ancha indican una adopción acelerada de las tecnologías SiC y GaN, impulsada por la creciente demanda de mayor eficiencia energética, un rendimiento de conmutación más rápido, un tamaño de sistema reducido y una mejor gestión térmica en aplicaciones automotrices, industriales, de energías renovables y de centros de datos.

• Carburo de silicio: El SiC mantiene la posición dominante debido a su alto rendimiento en voltaje, bajas pérdidas de conmutación, robustez térmica y gran idoneidad para inversores de vehículos eléctricos, cargadores, convertidores de energía renovable y sistemas de energía industrial.
• Óxido de zinc: El óxido de zinc es compatible con aplicaciones especializadas de protección de energía y gestión de sobretensiones, donde el comportamiento eléctrico no lineal y las propiedades del material pueden complementar arquitecturas de protección de sistemas de energía más amplias.
• Nitruro de galio (GaN): El GaN es de importancia estratégica para la conversión de alta frecuencia, adaptadores compactos, fuentes de alimentación para servidores, robótica y sistemas emergentes de alta densidad que requieren conmutación rápida y un tamaño reducido de los componentes pasivos.
• Arseniuro de galio: El arseniuro de galio se utiliza en aplicaciones optoelectrónicas y de alta frecuencia especializadas, proporcionando ventajas de rendimiento donde la respuesta en frecuencia y las características del material justifican una mayor complejidad de fabricación.
• Sustrato de diamante: Los sustratos de diamante representan una tecnología emergente para la gestión térmica extrema y las aplicaciones de alta densidad de potencia, con un gran potencial a largo plazo en los exigentes sistemas aeroespaciales, de defensa y de energía avanzada.

Solicitud

Se prevé que la aplicación de esta tecnología crezca a una tasa compuesta anual del 23-26% durante el período 2026-2034, a medida que la conversión de energía avance hacia una mayor eficiencia y densidad. Los centros de datos, los sistemas de motores, los equipos de carga y las redes eléctricas requieren dispositivos capaces de gestionar una potencia creciente sin un aumento proporcional en la infraestructura térmica.

• Sistemas de alimentación ininterrumpida: Los sistemas UPS priorizan cada vez más las etapas de conversión compactas, las menores pérdidas y el mejor rendimiento térmico, ya que las instalaciones críticas requieren un funcionamiento continuo y una mayor densidad de potencia.
• Variadores de velocidad para motores industriales: Los variadores de velocidad ofrecen la ventaja de una conmutación más rápida y menores pérdidas, lo que permite el uso de sistemas inversores más pequeños, un mejor control del motor y un aumento de la eficiencia en fábricas, bombas, compresores y equipos automatizados.
• Centros de datos: Los centros de datos se están convirtiendo en una gran oportunidad debido a que las cargas de trabajo de IA aumentan la demanda eléctrica, mientras que los operadores buscan una mayor eficiencia de conversión, arquitecturas de energía compactas y una mejor gestión térmica.
• Red eléctrica: Las aplicaciones de red eléctrica requieren conmutación fiable y de alto voltaje para la integración, el almacenamiento, la transmisión, la protección y la gestión de la calidad de la energía renovable, lo que genera demanda de soluciones robustas basadas en SiC.

Industria de usuarios finales

Se prevé que el sector de usuarios finales registre una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 24-27% durante el periodo 2026-2034, a medida que la electrificación y las necesidades de densidad energética se extiendan a los sectores del transporte, los servicios públicos, la fabricación y los sistemas de misión crítica. Las aplicaciones en los sectores automotriz y energético ofrecen oportunidades de adopción especialmente sólidas.

• Automoción: Los fabricantes de automóviles están adoptando dispositivos de potencia avanzados en inversores de tracción, cargadores integrados, convertidores CC-CC y sistemas de carga para admitir arquitecturas de mayor voltaje y mejorar la eficiencia del vehículo.
• Energía y servicios públicos: Las empresas de servicios públicos y las compañías energéticas requieren una conversión eficiente para la energía solar, el almacenamiento, la modernización de la red y la generación distribuida, lo que hace que el rendimiento de los semiconductores de alto voltaje sea cada vez más relevante para la economía del sistema.
• Sector industrial: Los usuarios industriales implementan dispositivos de potencia en accionamientos de motores, robótica, automatización, equipos UPS, soldadura y maquinaria de proceso, donde el ahorro de energía y la reducción del espacio que ocupa el equipo influyen en las decisiones de inversión.
• Sector aeroespacial y de defensa: Las aplicaciones aeroespaciales y de defensa priorizan el peso, el rendimiento térmico, la fiabilidad y la densidad de potencia, lo que crea oportunidades especializadas para dispositivos avanzados capaces de operar en condiciones eléctricas y ambientales exigentes.

Resumen de la oportunidad

Factores de crecimiento y análisis del impacto del mercado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (WBG).

La infraestructura de IA está aumentando los requisitos de densidad de potencia.

La economía del suministro de energía en los centros de datos se está transformando debido al aumento del rendimiento de los aceleradores, lo que conlleva un incremento del consumo eléctrico dentro de los racks. Esto convierte a los componentes semiconductores de GaN y SiC, que pueden reducir las pérdidas durante la conversión y permitir arquitecturas de mayor voltaje o frecuencia, en mejores opciones. Texas Instruments Inc. ha presentado etapas de potencia de GaN en fuentes de alimentación para servidores con una eficiencia superior al 98 % y una alta densidad de potencia, mientras que las iniciativas relacionadas con la arquitectura de 800 V CC demuestran cómo la industria está evolucionando hacia sistemas de suministro de energía de mayor voltaje. El efecto de estas tendencias irá más allá de la venta de semiconductores, ya que mejores características de conmutación se traducirán en menores costes de refrigeración, componentes pasivos más pequeños, menor cantidad de cobre y menor superficie ocupada por los equipos.

La electrificación está aumentando la demanda de conversión de alto voltaje.

La electrificación de los vehículos está generando una creciente necesidad de dispositivos de conmutación capaces de satisfacer los requisitos de alto voltaje en inversores de tracción, cargadores a bordo, estaciones de carga y convertidores auxiliares. El carburo de silicio es idóneo para sistemas de 800 V debido a su combinación de alta capacidad de ruptura y bajas pérdidas por conducción y conmutación. La homologación para el sector automotriz dificultará aún más la entrada de nuevos competidores al mercado debido a la elevada barrera de entrada. El impacto en el mercado será mayor que en los automóviles, ya que autobuses, vehículos comerciales, maquinaria industrial e incluso estaciones de carga requieren este tipo de conversión. Cuando los fabricantes intentan aumentar simultáneamente la autonomía, la velocidad de carga, la eficiencia de refrigeración y el tamaño, la elección de los dispositivos se convierte en un problema a nivel de sistema.

La generación de energías renovables y la modernización de la red eléctrica requieren una conmutación eficiente.

La energía solar, el almacenamiento, la generación distribuida y la modernización de la red eléctrica están incrementando el número de etapas de conversión de energía desde las fuentes de generación hasta las baterías, las redes de transmisión y los usuarios finales. Los semiconductores de banda prohibida ancha pueden aumentar la eficiencia de los inversores y permitir la conmutación a mayor frecuencia, así como formatos más compactos en lo que respecta a la gestión térmica. Esto es significativo en el contexto de las instalaciones de energía renovable que funcionan de forma continua, con pequeñas mejoras en la eficiencia que se acumulan con el tiempo. Por lo tanto, las empresas de servicios públicos y los proveedores de equipos están investigando el uso de dispositivos basados ​​en SiC para convertidores de alta tensión, interruptores de estado sólido y sistemas de acondicionamiento de energía. Las implicaciones comerciales incluyen oportunidades de mercado para los proveedores de módulos, dispositivos, controladores de puerta e integradores de sistemas. Una implementación exitosa requeriría fiabilidad a lo largo de la vida útil, costes por kilovatio de conversión, un proceso de cualificación y capacidad de variabilidad de temperatura/carga.

Tendencias futuras del mercado de dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (WBG)

La fabricación de dispositivos de 300 mm transformará la economía del GaN.

En la producción de nitruro de galio, se observa una tendencia hacia obleas de mayor tamaño y plataformas de producción más estandarizadas, lo que facilita una mayor escalabilidad en la fabricación en términos de rendimiento, coste y capacidad de producción. Según Infineon Technologies AG, se han logrado avances significativos en la fabricación escalable de GaN de 300 mm, y se prevé que las muestras para clientes comiencen en el cuarto trimestre de 2025. Con el aumento de la capacidad para producir obleas de gran tamaño, los fabricantes podrán reducir los costes de producción, lo que hará que el GaN sea más económico y competitivo. La siguiente fase de desarrollo se centrará en mejoras en el rendimiento, la fiabilidad, los controladores y las configuraciones de alto voltaje. Este desarrollo impulsará el uso del GaN no solo en aplicaciones de carga para el consumidor, sino también en centros de datos, robótica, energías renovables y sistemas industriales.

Las etapas de potencia integradas estarán más orientadas al sistema.

Los proveedores de semiconductores de potencia están integrando cada vez más interruptores, controladores, funciones de protección, sensores y encapsulados optimizados en módulos orientados a aplicaciones. Este enfoque reduce la complejidad del diseño y puede acortar los ciclos de cualificación para clientes que carecen de amplios recursos de ingeniería de semiconductores. La integración es especialmente relevante para centros de datos, accionamientos de motores, sistemas de carga y equipos industriales compactos, donde la gestión térmica y el espacio en la placa limitan la arquitectura del sistema. Es probable que los productos futuros combinen interruptores de banda ancha con control digital, detección de corriente, protección y encapsulados avanzados, en lugar de evaluarse únicamente como transistores discretos. Estas arquitecturas pueden mejorar la fiabilidad al reducir la inductancia parásita y simplificar las conexiones eléctricas. Este cambio impulsará a las empresas de semiconductores a competir ofreciendo soluciones de potencia completas, diseños de referencia, soporte de software e ingeniería de aplicaciones, además de las especificaciones técnicas de los dispositivos.

Oportunidades de mercado para dispositivos de potencia de banda prohibida ancha (WBG)

Cadenas de suministro localizadas para materiales energéticos avanzados

Están surgiendo oportunidades de inversión en torno a sustratos localizados, epitaxia, fabricación de obleas, empaquetado y pruebas, a medida que los gobiernos y los clientes industriales buscan cadenas de suministro de semiconductores más resilientes. La fabricación de SiC es particularmente atractiva porque la calidad del sustrato y la disponibilidad de obleas influyen en el rendimiento, el desempeño y el costo de los dispositivos. La nueva capacidad también puede dar soporte a clientes regionales de los sectores automotriz, energético e industrial que requieren compromisos de suministro a largo plazo. Los inversores y fabricantes estratégicos pueden centrarse en etapas especializadas de la cadena de valor en lugar de construir operaciones completas de semiconductores. Las oportunidades incluyen el reciclaje de sustratos, la inspección de defectos, los equipos de epitaxia, el empaquetado a alta temperatura y los servicios de cualificación. Las empresas que establecen ecosistemas regionales fiables pueden fortalecer las relaciones con los clientes y, al mismo tiempo, reducir su exposición a interrupciones logísticas. Es probable que las mejores oportunidades se presenten donde la inversión en semiconductores se alinee con clústeres de fabricación establecidos en los sectores automotriz, energético o industrial.

Plataformas de alta tensión para IA e infraestructura energética

La aparición de arquitecturas de potencia de mayor voltaje crea una oportunidad para que los proveedores desarrollen plataformas integradas en torno a sistemas de 800 V y superiores. Los centros de datos de IA están explorando la distribución de mayor voltaje para reducir la corriente, los requisitos de cobre y la complejidad de la conversión a medida que aumenta la potencia de los racks. Principios similares se aplican a las plantas de energía renovable, el almacenamiento de baterías, las instalaciones industriales y los futuros equipos de red de estado sólido. Las empresas pueden generar valor suministrando conmutadores coordinados, controladores de puerta, dispositivos de protección, módulos y diseños de referencia en lugar de componentes individuales. La inversión estratégica debe priorizar la fiabilidad térmica, el aislamiento, la compatibilidad electromagnética y la protección de alto voltaje, ya que estas características determinan la adopción a nivel de sistema. Los proveedores que demuestren arquitecturas validadas y una fabricación repetible pueden mejorar sus perspectivas de obtener programas de infraestructura de larga duración donde la fiabilidad y la continuidad del servicio son más importantes que el precio de los componentes por sí solo.

Sobre el autor (Electrónica y semiconductores Equipo de investigación)

Naveen Chittaragi

Vicepresidente,
Investigación y asesoramiento de mercados

Naveen es un experimentado profesional en investigación de mercados y consultoría con más de 9 años de experiencia en proyectos personalizados, sindicados y de consultoría. Actualmente se desempeña como Vicepresidente Asociado, donde ha gestionado con éxito a las partes interesadas en toda la cadena de valor del proyecto y ha redactado más de 100 informes de investigación y más de 30 proyectos de consultoría. Su trabajo abarca proyectos industriales y gubernamentales, contribuyendo significativamente al éxito de los clientes y a la toma de decisiones basada en datos.

Naveen es licenciado en Ingeniería Electrónica y Comunicaciones por la VTU (Karnataka) y tiene un MBA en Marketing y Operaciones por la Universidad de Manipal. Ha sido miembro activo del IEEE durante 9 años, participando en conferencias, simposios técnicos y realizando voluntariado tanto a nivel de sección como regional. Antes de su puesto actual, trabajó como Consultor Estratégico Asociado en IndustryARC y como Consultor de Servidores Industriales en Hewlett Packard (HP Global).

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