Gallium Nitride Gan Semiconductor Device Market Scope And Analysis

Report Code : TIPRE00039440
Category : Electronics and Semiconductor

No. of Pages : 150

Buy Now

تحليل حصة سوق أجهزة أشباه الموصلات المصنوعة من نتريد الغاليوم (GaN) والفرص المتاحة [2025-2031]

Buy Now

Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Scope

Report Attribute	Details
Market size in 2024	US$ XX million
Market Size by 2031	US$ XX Million
Global CAGR (2025 - 2031)	5.5%
Historical Data	2021-2023
Forecast period	2025-2031
Segments Covered	By النوع أشباه موصلات ضوئية، أشباه موصلات ترددات الراديو، أشباه موصلات الطاقة By الجهاز منفصل، متكامل، HEMT، MMIC By التطبيقات الإضاءة والليزر ومحركات الطاقة By نطاق الجهد أقل من 100، 100-500 فولت، أكثر من 500 فولت
Regions and Countries Covered	أمريكا الشمالية الولايات المتحدة وكندا والمكسيك أوروبا المملكة المتحدة وألمانيا وفرنسا وروسيا وإيطاليا وبقية دول أوروبا آسيا والمحيط الهادئ الصين والهند واليابان وأستراليا وبقية دول آسيا والمحيط الهادئ أمريكا الجنوبية والوسطى البرازيل والأرجنتين وبقية دول أمريكا الجنوبية والوسطى الشرق الأوسط وأفريقيا جنوب أفريقيا والمملكة العربية السعودية والإمارات العربية المتحدة وبقية دول الشرق الأوسط وأفريقيا
Market leaders and key company profiles	Fujitsu Ltd. Efficient Power Conversion Corporation Transphorm, Inc. Infineon Technologies AG NXP Semiconductors. Qorvo, Inc Texas Instruments Incorporated Toshiba Corporation GaN Systems NTT Advanced Technology Corporation.