تحليل حصة وحجم سوق أجهزة أشباه الموصلات المصنوعة من نتريد الغاليوم (GaN) بحلول عام 2031
Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Analysis
Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market
-
CAGR (2025 - 2031)5.5% -
Market Size 2024
US$ XX million -
Market Size 2031
US$ XX Million

Report Coverage
- Market size and forecast at global, regional, and country levels for all the key market segments covered under the scope
- Key future trends
- Detailed PEST/Porter’s Five Forces and SWOT analysis
- Industry landscape and competition analysis & recent developments
- Detailed company profiles
- Global and regional market analysis covering key market trends, major players, regulations, and recent market developments
Key Players
- Fujitsu Ltd.
- Efficient Power Conversion Corporation
- Transphorm, Inc.
- Infineon Technologies AG
- NXP Semiconductors.
- Qorvo, Inc
- Texas Instruments Incorporated
- Toshiba Corporation
- GaN Systems
- NTT Advanced Technology Corporation.
Regional Overview

- أمريكا الشمالية
- أوروبا
- آسيا والمحيط الهادئ
- أمريكا الجنوبية والوسطى
- الشرق الأوسط وأفريقيا
Market Segmentation

- أشباه موصلات ضوئية، أشباه موصلات ترددات الراديو، أشباه موصلات الطاقة

- منفصل، متكامل، HEMT، MMIC

- الإضاءة والليزر ومحركات الطاقة

- أقل من 100، 100-500 فولت، أكثر من 500 فولت