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Aug 2025
MARKTEINFÜHRUNG Galliumnitrid (GaN)-Transistoren haben sich als leistungsstärkerer Ersatz für Silizium-basierte Transistoren entwickelt, da sie im Vergleich zu Silizium-Bauelementen kompaktere Geräte für einen bestimmten Widerstandswert und eine bestimmte Durchbruchspannung herstellen können . Diese Leistungsgeräte können extrem niederohmiges und hochfrequentes Schalten erreichen. Diese Eigenschaften werden in hocheffizienten Stromversorgungen, Elektrofahrzeugen (EV), Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEV), Photovoltaik-Wechselrichtern und HF-Schaltungen genutzt. Darüber hinaus sind diese Geräte in Stromversorgungen für Server, IT-Geräte, hocheffiziente und stabile Netzteile sowie EV- und HEV-Geräte einsetzbar. Daher beeinflusst die zunehmende Anwendung das Wachstum des Marktes für GaN-Leistungsgeräte. MARKDTYNAMIK Zu den Faktoren, die das Marktwachstum vorantreiben, gehören sinkende Preise für GaN-Geräte, steigende Nachfrage nach GaN-Geräten für das kabellose Laden, zunehmende Installation von GaN-Geräten in Elektrofahrzeugen und ein Anstieg des Bedarfs von GaN-Geräten für kommerzielle HF-Anwendungen. Allerdings bremst die mangelnde Verfügbarkeit von GaN-Material das Marktwachstum. Darüber hinaus wird erwartet, dass staatliche Initiativen im Bereich HGÜ und Smart Grid im Prognosezeitraum lukrative Chancen für das Marktwachstum bieten werden. MARKTUMFANG Die „Globale Marktanalyse für GaN-Leistungsgeräte bis 2031“ ist eine spezialisierte und eingehende Studie des Marktes für GaN-Leistungsgeräte mit besonderem Schwerpunkt auf der globalen Markttrendanalyse. Der Bericht soll einen Überblick über den Markt für GaN-Leistungsgeräte mit detaillierter Marktsegmentierung nach Gerätetyp, HF-Leistungsgerät, Spannungsbereich, Anwendung und Vertikale geben. Für den globalen Markt für GaN-Leistungsgeräte wird im Prognosezeitraum ein hohes Wachstum erwartet. Der Bericht liefert wichtige Statistiken zum Marktstatus des führenden Marktteilnehmers für GaN-Leistungsgeräte und bietet wichtige Trends und Chancen auf dem Markt für GaN-Leistungsgeräte. MARKTSEGMENTIERUNG Der globale Markt für GaN-Leistungsgeräte ist nach Gerätetyp, HF-Leistungsgerät, Spannungsbereich, Anwendung und Vertikale segmentiert. Auf der Grundlage des Gerätetyps wird der Markt in diskrete Leistungsgeräte und integrierte Leistungsgeräte unterteilt. Auf der Grundlage von HF-Leistungsgeräten wird der Markt in diskrete HF-Leistungsgeräte und integrierte HF-Leistungsgeräte unterteilt. Auf der Grundlage des Spannungsbereichs wird der Markt in weniger als 200 Volt, 200–600 Volt und mehr als 600 Volt unterteilt. Auf der Grundlage der Anwendung wird der Markt in Leistungsantriebe, Versorgung und Wechselrichter sowie Hochfrequenz unterteilt. Auf der Grundlage Der vertikale Markt ist in Telekommunikation, Industrie, Automobil, erneuerbare Energien, Verbraucher und Unternehmen unterteilt. REGIONALER RAHMEN Der Bericht bietet einen detaillierten Überblick über die Branche, einschließlich qualitativer und quantitativer Informationen. Er bietet einen Überblick und eine Prognose für die Branche Globaler Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte basierend auf verschiedenen Segmenten. Es bietet außerdem Marktgrößen- und Prognoseschätzungen für die Jahre 2021 bis 2031 in Bezug auf fünf Hauptregionen, nämlich: Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik (APAC), Naher Osten und Afrika (MEA). ) und Südamerika. Der Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte nach Regionen wird später nach Ländern und Segmenten unterteilt. Der Bericht umfasst Analysen und Prognosen für 18 Länder weltweit sowie aktuelle Trends und Chancen in der Region. Der Bericht analysiert Faktoren, die den Markt für GaN-Leistungsgeräte sowohl auf der Nachfrage- als auch auf der Angebotsseite beeinflussen, und bewertet weiter die Marktdynamik, die den Markt im Prognosezeitraum beeinflusst, d. h. Treiber, Beschränkungen, Chancen und zukünftige Trends. Der Bericht bietet außerdem eine umfassende Schädlingsanalyse für alle fünf Regionen, nämlich: Nordamerika, Europa, APAC, MEA und Südamerika nach Bewertung politischer, wirtschaftlicher, sozialer und technologischer Faktoren, die den Markt für GaN-Leistungsgeräte in diesen Regionen beeinflussen. MARKTSPIELER Die Berichte behandeln wichtige Entwicklungen in den organischen und anorganischen Wachstumsstrategien des Marktes für GaN-Leistungsgeräte. Verschiedene Unternehmen konzentrieren sich auf organische Wachstumsstrategien wie Produkteinführungen, Produktzulassungen und andere wie Patente und Veranstaltungen. Zu den auf dem Markt beobachteten anorganischen Wachstumsstrategien gehörten Akquisitionen sowie Partnerschaften und Kooperationen. Diese Aktivitäten haben den Weg für die Erweiterung des Geschäfts und des Kundenstamms der Marktteilnehmer geebnet. Den Marktteilnehmern auf dem Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte werden aufgrund der steigenden Nachfrage nach dem Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte in Zukunft voraussichtlich lukrative Wachstumschancen geboten. Nachfolgend finden Sie eine Liste einiger Unternehmen, die auf dem Markt für GaN-Leistungsgeräte tätig sind. Der Bericht enthält auch die Profile der wichtigsten Unternehmen auf dem Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte sowie deren SWOT-Analyse und Marktstrategien. Darüber hinaus konzentriert sich der Bericht auf führende Branchenakteure mit Informationen wie Firmenprofilen, angebotenen Komponenten und Dienstleistungen, Finanzinformationen der letzten drei Jahre und wichtigen Entwicklungen in den letzten fünf Jahren.
- • CREE • Infineon • Qorvo • Macom • Mikrosemi • Mitsubishi Electric • Effiziente Stromumwandlung • GaN-Systeme • Navitas Semiconductor • Toshiba
- Historische Analyse (2 Jahre), Basisjahr, Prognose (7 Jahre) mit CAGR
- PEST- und SWOT-Analyse
- Marktgröße Wert/Volumen – Global, Regional, Land
- Branchen- und Wettbewerbslandschaft
- Excel-Datensatz
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