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Gallium Nitride Gan Semiconductor Device Market Scope And Analysis

  • Report Code : TIPRE00039440
  • Category : Electronics and Semiconductor
  • No. of Pages : 150
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Markttrends für Galliumnitrid (GaN)-Halbleiterbauelemente, Umfangsanalyse bis 2025-2031

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Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Size and Share Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Scope and Analysis

Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Scope

Report Attribute Details
Market size in 2024 US$ XX million
Market Size by 2031 US$ XX Million
Global CAGR (2025 - 2031) 5.5%
Historical Data 2021-2023
Forecast period 2025-2031
Segments Covered By Typ
  • Optohalbleiter
  • HF-Halbleiter
  • Leistungshalbleiter
By Gerät
  • diskret
  • integriert
  • HEMT
  • MMIC
By Anwendung
  • Beleuchtung und Laser
  • Antriebssysteme
By Spannungsbereich
  • weniger als 100
  • 100–500 V
  • mehr als 500 V
Regions and Countries Covered Nordamerika
  • USA
  • Kanada
  • Mexiko
Europa
  • Großbritannien
  • Deutschland
  • Frankreich
  • Russland
  • Italien
  • Restliches Europa
Asien-Pazifik
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Australien
  • Restlicher Asien-Pazifik
Süd- und Mittelamerika
  • Brasilien
  • Argentinien
  • Restliches Süd- und Mittelamerika
Naher Osten und Afrika
  • Südafrika
  • Saudi-Arabien
  • Vereinigte Arabische Emirate
  • Restlicher Naher Osten und Afrika
Market leaders and key company profiles
  • Fujitsu Ltd.
  • Efficient Power Conversion Corporation
  • Transphorm, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • NXP Semiconductors.
  • Qorvo, Inc
  • Texas Instruments Incorporated
  • Toshiba Corporation
  • GaN Systems
  • NTT Advanced Technology Corporation.
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