Gallium Nitride Gan Semiconductor Device Market Scope And Analysis

  • Report Code : TIPRE00039440
  • Category : Electronics and Semiconductor
  • No. of Pages : 150
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Análisis del alcance del informe de mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) y oportunidades para 2025-2031

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Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Scope

Report Attribute Details
Market size in 2024 US$ XX million
Market Size by 2031 US$ XX Million
Global CAGR (2025 - 2031) 5.5%
Historical Data 2021-2023
Forecast period 2025-2031
Segments Covered By Tipo
  • optosemiconductor
  • semiconductor de RF
  • semiconductor de potencia
By Dispositivo
  • discreto
  • integrado
  • HEMT
  • MMIC
By Aplicación
  • Iluminación y láseres
  • accionamientos de potencia
By Rango de voltaje
  • menos de 100
  • V100-500 V
  • más de 500 V
Regions and Countries Covered Norteamérica
  • EE. UU.
  • Canadá
  • México
Europa
  • Reino Unido
  • Alemania
  • Francia
  • Rusia
  • Italia
  • Resto de Europa
Asia-Pacífico
  • China
  • India
  • Japón
  • Australia
  • Resto de Asia-Pacífico
América del Sur y Central
  • Brasil
  • Argentina
  • Resto de América del Sur y Central
Oriente Medio y África
  • Sudáfrica
  • Arabia Saudita
  • Emiratos Árabes Unidos
  • Resto de Oriente Medio y África
Market leaders and key company profiles
  • Fujitsu Ltd.
  • Efficient Power Conversion Corporation
  • Transphorm, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • NXP Semiconductors.
  • Qorvo, Inc
  • Texas Instruments Incorporated
  • Toshiba Corporation
  • GaN Systems
  • NTT Advanced Technology Corporation.