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Gallium Nitride Gan Semiconductor Device Market Scope And Analysis

  • Report Code : TIPRE00039440
  • Category : Electronics and Semiconductor
  • No. of Pages : 150
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窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場予測、トレンド、スコープ分析（2025～2031年）

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Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Size and Share Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Scope and Analysis

Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Scope

Report Attribute Details
Market size in 2024 US$ XX million
Market Size by 2031 US$ XX Million
Global CAGR (2025 - 2031) 5.5%
Historical Data 2021-2023
Forecast period 2025-2031
Segments Covered By タイプ
  • 光半導体
  • RF半導体
  • パワー半導体
By デバイス
  • ディスクリート
  • インテグレーテッド
  • HEMT
  • MMIC
By アプリケーション
  • 照明とレーザー
  • パワードライブ
By 電圧範囲
  • 100V未満
  • 100～500V
  • 500V以上
Regions and Countries Covered 北米
  • 米国
  • カナダ
  • メキシコ
ヨーロッパ
  • 英国
  • ドイツ
  • フランス
  • ロシア
  • イタリア
  • その他のヨーロッパ
アジア太平洋
  • 中国
  • インド
  • 日本
  • オーストラリア
  • その他のアジア太平洋
南米および中米
  • ブラジル
  • アルゼンチン
  • その他の中南米
中東およびアフリカ
  • 南アフリカ
  • サウジアラビア
  • UAE
  • その他の中東およびアフリカ
Market leaders and key company profiles
  • Fujitsu Ltd.
  • Efficient Power Conversion Corporation
  • Transphorm, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • NXP Semiconductors.
  • Qorvo, Inc
  • Texas Instruments Incorporated
  • Toshiba Corporation
  • GaN Systems
  • NTT Advanced Technology Corporation.
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