Gallium Nitride Gan Semiconductor Device Market Scope And Analysis

  • Report Code : TIPRE00039440
  • Category : Electronics and Semiconductor
  • No. of Pages : 150
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2031년까지 갈륨 질화물(GaN) 반도체 소자 시장 점유율 및 규모 분석

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Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Size and Share Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Scope and Analysis

Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Scope

Report Attribute Details
Market size in 2024 US$ XX million
Market Size by 2031 US$ XX Million
Global CAGR (2025 - 2031) 5.5%
Historical Data 2021-2023
Forecast period 2025-2031
Segments Covered By 유형
  • 광반도체
  • RF 반도체
  • 전력 반도체
By 장치
  • 개별
  • 통합
  • HEMT
  • MMIC
By 응용 분야
  • 조명 및 레이저
  • 전력 구동
By 전압 범위
  • 100V 미만
  • 100~500V
  • 500V 초과
Regions and Countries Covered 북미
  • 미국
  • 캐나다
  • 멕시코
유럽
  • 영국
  • 독일
  • 프랑스
  • 러시아
  • 이탈리아
  • 기타 유럽
아시아 태평양
  • 중국
  • 인도
  • 일본
  • 호주
  • 기타 아시아 태평양
남미 및 중앙아메리카
  • 브라질
  • 아르헨티나
  • 기타 남미 및 중앙아메리카
중동 및 아프리카
  • 남아프리카
  • 사우디아라비아
  • UAE
  • 기타 중동 및 아프리카
Market leaders and key company profiles
  • Fujitsu Ltd.
  • Efficient Power Conversion Corporation
  • Transphorm, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • NXP Semiconductors.
  • Qorvo, Inc
  • Texas Instruments Incorporated
  • Toshiba Corporation
  • GaN Systems
  • NTT Advanced Technology Corporation.
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