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Gallium Nitride Gan Semiconductor Device Market Scope And Analysis

  • Report Code : TIPRE00039440
  • Category : Electronics and Semiconductor
  • No. of Pages : 150
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2025-2031年氮化镓（GaN）半导体器件市场预测及范围

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Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Size and Share Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Scope and Analysis

Gallium Nitride (GaN) Semiconductor Device Market Report Scope

Report Attribute Details
Market size in 2024 US$ XX million
Market Size by 2031 US$ XX Million
Global CAGR (2025 - 2031) 5.5%
Historical Data 2021-2023
Forecast period 2025-2031
Segments Covered By 类型
  • 光电半导体
  • 射频半导体
  • 功率半导体
By 器件
  • 分立器件
  • 集成器件
  • HEMT 器件
  • MMIC 器件
By 应用
  • 照明和激光
  • 电力驱动
By 电压范围
  • 小于100V
  • 100-500V
  • 大于500V
Regions and Countries Covered 北美
  • 美国
  • 加拿大
  • 墨西哥
欧洲
  • 英国
  • 德国
  • 法国
  • 俄罗斯
  • 意大利
  • 欧洲其他地区
亚太地区
  • 中国
  • 印度
  • 日本
  • 澳大利亚
  • 亚太地区其他地区
南美洲和中美洲
  • 巴西
  • 阿根廷
  • 南美洲和中美洲其他地区
中东和非洲
  • 南非
  • 沙特阿拉伯
  • 阿联酋
  • 中东和非洲其他地区
Market leaders and key company profiles
  • Fujitsu Ltd.
  • Efficient Power Conversion Corporation
  • Transphorm, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • NXP Semiconductors.
  • Qorvo, Inc
  • Texas Instruments Incorporated
  • Toshiba Corporation
  • GaN Systems
  • NTT Advanced Technology Corporation.
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