Gallium Nitride Semiconductor Device Market Scope And Analysis

  • Report Code : TIPRE00002943
  • Category : Electronics and Semiconductor
  • No. of Pages : 150
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Markttrends für Galliumnitrid-Halbleiterbauelemente, Umfangsanalyse bis 2025-2031

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Gallium Nitride Semiconductor Device Market Report Scope

Report Attribute Details
Market size in 2023 US$ XX million
Market Size by 2031 US$ XX Million
Global CAGR (2023 - 2031) XX%
Historical Data 2021-2022
Forecast period 2024-2031
Segments Covered By Wafergröße
  • 2 Zoll
  • 4 Zoll
  • 6 Zoll und mehr
By Gerätetyp
  • GaN-Hochfrequenzgeräte
  • Optohalbleiter und Leistungshalbleiter
By Endbenutzer
  • Automobilindustrie
  • Unterhaltungselektronik
  • Gesundheitswesen
  • Luft- und Raumfahrt & Verteidigung
  • Informations- und Kommunikationstechnologie und Industrie
By Geographie
  • Nordamerika
  • Europa
  • Asien-Pazifik
  • Süd- und Mittelamerika
Regions and Countries Covered Nordamerika
  • USA
  • Kanada
  • Mexiko
Europa
  • Großbritannien
  • Deutschland
  • Frankreich
  • Russland
  • Italien
  • Restliches Europa
Asien-Pazifik
  • China
  • Indien
  • Japan
  • Australien
  • Restlicher Asien-Pazifik
Süd- und Mittelamerika
  • Brasilien
  • Argentinien
  • Restliches Süd- und Mittelamerika
Naher Osten und Afrika
  • Südafrika
  • Saudi-Arabien
  • Vereinigte Arabische Emirate
  • Restlicher Naher Osten und Afrika
Market leaders and key company profiles
  • Efficient Power Conversion Corporation, Inc.
  • Fujitsu Ltd.
  • GaN Systems, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • Microsemi Corporation
  • NXP Semiconductor N.V.
  • Qorvo, Inc.
  • Samsung Electronics Co. Ltd.
  • Texas Instruments, Inc.