Gallium Nitride Semiconductor Device Market Scope And Analysis

  • Report Code : TIPRE00002943
  • Category : Electronics and Semiconductor
  • No. of Pages : 150
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Análisis del alcance del informe de mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio y oportunidades para 2025-2031

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Gallium Nitride Semiconductor Device Market Report Scope

Report Attribute Details
Market size in 2023 US$ XX million
Market Size by 2031 US$ XX Million
Global CAGR (2023 - 2031) XX%
Historical Data 2021-2022
Forecast period 2024-2031
Segments Covered By Tamaño de oblea
  • 2 pulgadas
  • 4 pulgadas y 6 pulgadas y más
By Tipo de dispositivo
  • dispositivos de radiofrecuencia GaN
  • optosemiconductores y semiconductores de potencia
By Usuario final
  • automoción
  • electrónica de consumo
  • atención sanitaria
  • aeroespacial y defensa
  • tecnología de la información y las comunicaciones
  • e industrial
By Geografía
  • América del Norte
  • Europa
  • Asia-Pacífico
  • América del Sur y Central
Regions and Countries Covered América del Norte
  • EE. UU.
  • Canadá
  • México
Europa
  • Reino Unido
  • Alemania
  • Francia
  • Rusia
  • Italia
  • resto de Europa
Asia-Pacífico
  • China
  • India
  • Japón
  • Australia
  • resto de Asia-Pacífico
América del Sur y Central
  • Brasil
  • Argentina
  • Resto de América del Sur y Central
Medio Oriente y África
  • Sudáfrica
  • Arabia Saudita
  • Emiratos Árabes Unidos
  • Resto de Medio Oriente y África
Market leaders and key company profiles
  • Efficient Power Conversion Corporation, Inc.
  • Fujitsu Ltd.
  • GaN Systems, Inc.
  • Infineon Technologies AG
  • Microsemi Corporation
  • NXP Semiconductor N.V.
  • Qorvo, Inc.
  • Samsung Electronics Co. Ltd.
  • Texas Instruments, Inc.