Gallium Nitride Semiconductor Device Market Scope And Analysis

Report Code : TIPRE00002943
Category : Electronics and Semiconductor

No. of Pages : 150

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窒化ガリウム半導体デバイス市場予測、動向、スコープ分析（2025～2031年）

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Gallium Nitride Semiconductor Device Market Report Scope

Report Attribute	Details
Market size in 2023	US$ XX million
Market Size by 2031	US$ XX Million
Global CAGR (2023 - 2031)	XX%
Historical Data	2021-2022
Forecast period	2024-2031
Segments Covered	By ウェーハサイズ（2インチ,4インチ,6インチ以上） By デバイスタイプ（GaN 無線周波数デバイス,光半導体,パワー半導体） By エンドユーザー（自動車,家電,ヘルスケア,航空宇宙・防衛,情報通信技術,産業） By 地理北アメリカヨーロッパアジア太平洋南アメリカ中央アメリカ
Regions and Countries Covered	北米（米国,カナダ,メキシコ）北米（米国カナダメキシコ）ヨーロッパ（英国,ドイツ,フランス,ロシア,イタリア,その他のヨーロッパ）ヨーロッパ（英国ドイツフランスロシアイタリアその他のヨーロッパ）アジア太平洋（中国,インド,日本,オーストラリア,その他のアジア太平洋）アジア太平洋（中国インド日本オーストラリアその他のアジア太平洋）南米および中米（ブラジル,アルゼンチン,その他の中南米）南米および中米（ブラジルアルゼンチンその他の中南米）中東およびアフリカ（南アフリカ,サウジアラビア,UAE,その他の中東およびアフリカ）中東およびアフリカ（南アフリカサウジアラビア UAE その他の中東およびアフリカ）
Market leaders and key company profiles	Efficient Power Conversion Corporation, Inc. Fujitsu Ltd. GaN Systems, Inc. Infineon Technologies AG Microsemi Corporation NXP Semiconductor N.V. Qorvo, Inc. Samsung Electronics Co. Ltd. Texas Instruments, Inc.