Markt für GaN-Epitaxiewafer - Erkenntnisse aus globaler und regionaler Analyse - Prognose bis 2031

MARKTEINFÜHRUNG Ein Wafer aus halbleitendem Material, der durch epitaktisches Wachstum (Epitaxie) für Anwendungen in der Photonik, Mikroelektronik, Spintronik oder Photovoltaik gebildet wird, wird als epitaktischer Wafer bezeichnet. Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs) oder eine Kombination der Elemente Gallium, Indium, Aluminium, Stickstoff, Phosphor oder Arsen bilden die Epitaxieschichten. Die Hauptvorteile des GaN-Substrats sind eine hohe Elektronenmobilität, reduzierte Schaltverluste und weniger Gitterfehlanpassungen, was seinen Einsatz in Bereichen wie Leistungselektronik und Optoelektronik vorantreibt. MARKTTYNAMIK Aufgrund seiner Fähigkeit, bei hoher Frequenz und hoher Temperatur zu arbeiten, wird GaN häufig in Hochfrequenzgeräten, Leuchtdioden (LEDs) und Leistungselektronik eingesetzt. Der Markt für GaN-Epitaxiewafer wird durch die zunehmende Beliebtheit von LEDs beflügelt. Darüber hinaus haben Fortschritte in der GaN-Technologie zur Schaffung effizienter GaN-Substrate mit geringer Defektdichte und freien Makrodefekten geführt. Daher werden GaN-Substrate zunehmend zur Herstellung von LEDs mit Waferdurchmessern zwischen 2 Zoll, 6 und 8 Zoll verwendet. Im Prognosezeitraum wird erwartet, dass der Markt für GaN-Epitaxiewafer aufgrund der zunehmenden Einführung von LEDs wachsen wird. MARKTUMFANG Die „Globale GaN-Epitaxie-Wafer-Marktanalyse bis 2031“ ist eine spezialisierte und eingehende Studie des GaN-Epitaxie-Wafer-Marktes mit besonderem Schwerpunkt auf der globalen Markttrendanalyse. Der Bericht soll einen Überblick über den Markt für GaN-Epitaxiewafer mit detaillierter Marktsegmentierung nach Produkttyp, Wafergröße, Anwendung, Endverbraucherbranche und Geografie geben. Für den globalen Markt für GaN-Epitaxiewafer wird im Prognosezeitraum ein hohes Wachstum erwartet. Der Bericht enthält wichtige Statistiken zum Marktstatus der führenden Marktteilnehmer für GaN-Epitaxiewafer und bietet wichtige Trends und Chancen auf dem Markt für GaN-Epitaxiewafer. MARKTSEGMENTIERUNG Der globale Markt für GaN-Epitaxialwafer ist nach Produkttyp, Wafergröße, Anwendung und Endverbraucherbranche segmentiert. Auf der Grundlage des Produkttyps wird der Markt in homoepitaktische GAN-Epitaxiewafer und GAN-heteroepitaktische Epitaxiewafer unterteilt. Basierend auf der Wafergröße wird der Markt in 2-Zoll-Wafer, 4-Zoll-Wafer und 8-Zoll-Wafer und mehr unterteilt. Je nach Anwendung ist der Markt in LEDs, Laser, Hochfrequenzgeräte, Leistungsantriebe, Transistoren und andere unterteilt. Basierend auf der Endverbraucherbranche ist der Markt in IT UND Telekommunikation, Industrie, Automobil, erneuerbare Energien, Unterhaltungselektronik, Militär, Verteidigung und Luft- und Raumfahrt, Medizin und Gesundheitswesen und andere unterteilt. REGIONALER RAHMEN Der Bericht bietet einen detaillierten Überblick über die Branche, einschließlich qualitativer und quantitativer Informationen. Es bietet einen Überblick und eine Prognose des globalen GaN-Epitaxie-Wafer-Marktes basierend auf verschiedenen Segmenten. Es bietet auch Marktgrößen- und Prognoseschätzungen für die Jahre 2017 bis 2031 in Bezug auf fünf Hauptregionen, nämlich: Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik (APAC), Naher Osten und Afrika (MEA) und Südamerika. Der Markt für GaN-Epitaxialwafer nach Regionen wird später nach Ländern und Segmenten unterteilt. Der Bericht umfasst Analysen und Prognosen für 18 Länder weltweit sowie aktuelle Trends und Chancen in der Region. Der Bericht analysiert Faktoren, die den Markt für GaN-Epitaxiewafer sowohl auf der Nachfrage- als auch auf der Angebotsseite beeinflussen, und bewertet weiter die Marktdynamik, die den Markt im Prognosezeitraum beeinflusst, d. h. Treiber, Beschränkungen, Chancen und zukünftige Trends. Der Bericht bietet außerdem eine umfassende Schädlingsanalyse für alle fünf Regionen, nämlich: Nordamerika, Europa, APAC, MEA und Südamerika nach Bewertung politischer, wirtschaftlicher, sozialer und technologischer Faktoren, die sich auf den Markt für GaN-Epitaxiewafer in diesen Regionen auswirken. MARKTSPIELER Die Berichte behandeln wichtige Entwicklungen im GaN-Epitaxie-Wafer-Markt als organische und anorganische Wachstumsstrategien. Verschiedene Unternehmen konzentrieren sich auf organische Wachstumsstrategien wie Produkteinführungen, Produktzulassungen und andere wie Patente und Veranstaltungen. Zu den auf dem Markt beobachteten anorganischen Wachstumsstrategien gehörten Akquisitionen sowie Partnerschaften und Kooperationen. Diese Aktivitäten haben den Weg für die Erweiterung des Geschäfts und des Kundenstamms der Marktteilnehmer geebnet. Aufgrund der steigenden Nachfrage nach dem Markt für GaN-Epitaxiewafer werden den Marktteilnehmern auf dem Markt für GaN-Epitaxiewafer in Zukunft lukrative Wachstumschancen erwartet. Nachfolgend finden Sie eine Liste einiger Unternehmen, die auf dem Markt für GaN-Epitaxialwafer tätig sind. Der Bericht enthält auch die Profile der wichtigsten Unternehmen auf dem Markt für GaN-Epitaxialwafer sowie deren SWOT-Analyse und Marktstrategien. Darüber hinaus konzentriert sich der Bericht auf führende Branchenakteure mit Informationen wie Firmenprofilen, angebotenen Komponenten und Dienstleistungen, Finanzinformationen der letzten drei Jahre und wichtigen Entwicklungen in den letzten fünf Jahren.

•  Aixtron •  ALLOS Semiconductors GmbH •  EpiGaN nv •  Infineon Technologies AG •  Koninklijke Philips NV •  Mitsubishi Electric Corporation •  NTT Advanced Technology Corporation •  RF Globalnet •  SweGaN •  Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corporation

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RAN KEDEM Partner, Reali Technologies LTDs

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PIYUSH NAGPAL Sr. Vizepräsident, Fernlicht Global

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JOHN SUZUKI Präsident und Chief Executive Officer, Vorstandsmitglied, BK Technologies

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DR. CHIJIOKE ONYIA GESCHÄFTSFÜHRERIN, PineCrest Healthcare Ltd.

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