Taille et prévisions du marché des plaquettes épitaxiales GaN (2021-2031), part mondiale et régionale, tendances et analyse des opportunités de croissance

Données historiques : 2021-2022    |    Année de référence : 2023    |    Période de prévision : 2024-2031

Analyse du marché des plaquettes épitaxiales GaN : taille et prévisions (2021-2031), parts mondiales et régionales, tendances et opportunités de croissance. Rapport : par type de produit (plaquette épitaxiale homoépitaxiale GaN, plaquette épitaxiale hétéroépitaxiale GaN) ; taille de plaquette (plaquette de 2 pouces, 4 pouces, 8 pouces et plus) ; application (LED, lasers, dispositifs radiofréquence, variateurs de puissance, transistors, autres) ; secteur d'activité (informatique et télécommunications, industrie, automobile, énergies renouvelables, électronique grand public, militaire, défense et aérospatiale, médical et santé, autres) et zone géographique (Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique, Amérique du Sud et centrale).

  • Date du rapport : Dec 2025
  • Code du rapport : TIPRE00026894
  • Catégorie : Électronique et semi-conducteurs
  • Statut : Prochain
  • Formats de rapport disponibles : pdf-format excel-format
  • Nombre de pages : 150
Page mise à jour : Aug 2025

INTRODUCTION DU MARCHÉ Une tranche de matériau semi-conducteur formée par croissance épitaxiale (épitaxie) pour une application en photonique, microélectronique, spintronique ou photovoltaïque est connue sous le nom de tranche épitaxiale. Le nitrure de gallium (GaN), l'arséniure de gallium (GaAs) ou une combinaison des éléments gallium, indium, aluminium, azote, phosphore ou arsenic constituent les couches épitaxiales. Les principaux avantages du substrat GaN sont une mobilité électronique élevée, des pertes de commutation réduites et moins d'inadéquations de réseau, qui conduisent à son utilisation dans des domaines tels que l'électronique de puissance et l'optoélectronique. DYNAMIQUE DU MARCHÉ En raison de sa capacité à fonctionner à haute fréquence et à haute température, le GaN est largement utilisé dans les dispositifs à radiofréquence, les diodes électroluminescentes (DEL) et l'électronique de puissance. Le marché des plaquettes épitaxiales GaN est stimulé par la popularité croissante des LED. De plus, les progrès de la technologie GaN ont abouti à la création de substrats GaN efficaces avec une faible densité de défauts et des macrodéfauts libres. En conséquence, les substrats GaN sont de plus en plus utilisés pour fabriquer des LED avec des diamètres de tranche allant de 2 pouces à 6 et 8 pouces. Au cours de la période de prévision, le marché des plaquettes épitaxiales GaN devrait augmenter en raison de l’adoption croissante des LED. ÉTENDUE DU MARCHÉ L’analyse du marché mondial des plaquettes épitaxiales GaN jusqu’en 2031 est une étude spécialisée et approfondie du marché des plaquettes épitaxiales GaN avec un accent particulier sur l’analyse des tendances du marché mondial. Le rapport vise à fournir un aperçu du marché des plaquettes épitaxiales GaN avec une segmentation détaillée du marché par type de produit, taille de plaquette, application, secteur d’utilisation final et géographie. Le marché mondial des plaquettes épitaxiales GaN devrait connaître une forte croissance au cours de la période de prévision. Le rapport fournit des statistiques clés sur l’état du marché des principaux acteurs du marché des plaquettes épitaxiales GaN et présente les principales tendances et opportunités sur le marché des plaquettes épitaxiales GaN. SEGMENTATION DU MARCHÉ Le marché mondial des plaquettes épitaxiales GaN est segmenté en fonction du type de produit, de la taille de la plaquette, de l’application et de l’industrie de l’utilisateur final. Sur la base du type de produit, le marché est segmenté en tranche épitaxiale homoépitaxiale GAN et en tranche épitaxiale hétéroépitaxiale GAN. En fonction de la taille des plaquettes, le marché est segmenté en tranches de 2 pouces, tranches de 4 pouces et tranches de 8 pouces et plus. En fonction des applications, le marché est segmenté en LED, lasers, dispositifs radiofréquence, variateurs de puissance, transistors et autres. Basé sur l’industrie des utilisateurs finaux, le marché est segmenté en informatique et télécommunications, industriel, automobile, renouvelable, électronique grand public, militaire, défense et aérospatiale, médical et soins de santé, et autres. CADRE RÉGIONAL Le rapport fournit un aperçu détaillé du secteur, comprenant des informations à la fois qualitatives et quantitatives. Il fournit un aperçu et des prévisions du marché mondial des plaquettes épitaxiales GaN en fonction de divers segments. Il fournit également la taille du marché et des estimations prévisionnelles de 2017 à 2031 pour cinq grandes régions, à savoir : Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique (APAC), Moyen-Orient et Afrique (MEA) et Amérique du Sud. Le marché des plaquettes épitaxiales GaN de chaque région est ensuite sous-segmenté par pays et segments respectifs. Le rapport couvre l'analyse et les prévisions de 18 pays dans le monde ainsi que les tendances actuelles et les opportunités prévalant dans la région. Le rapport analyse les facteurs affectant le marché des plaquettes épitaxiales GaN du côté de la demande et de l’offre et évalue en outre la dynamique du marché affectant le marché au cours de la période de prévision, c’est-à-dire les moteurs, les contraintes, les opportunités et les tendances futures. Le rapport fournit également une analyse PEST exhaustive pour les cinq régions, à savoir : Amérique du Nord, Europe, APAC, MEA et Amérique du Sud après avoir évalué les facteurs politiques, économiques, sociaux et technologiques affectant le marché des plaquettes épitaxiales GaN dans ces régions. ACTEURS DU MARCHÉ Les rapports couvrent les développements clés du marché des plaquettes épitaxiales GaN en tant que stratégies de croissance organique et inorganique. Diverses entreprises se concentrent sur des stratégies de croissance organique telles que les lancements de produits, les approbations de produits et d'autres telles que les brevets et les événements. Les activités de stratégies de croissance inorganiques observées sur le marché étaient des acquisitions, des partenariats et des collaborations. Ces activités ont ouvert la voie à l’expansion des activités et de la clientèle des acteurs du marché. Les acteurs du marché des plaquettes épitaxiales GaN devraient offrir des opportunités de croissance lucratives à l’avenir avec la demande croissante pour le marché des plaquettes épitaxiales GaN. Vous trouverez ci-dessous la liste de quelques entreprises engagées sur le marché des plaquettes épitaxiales GaN. Le rapport comprend également les profils des principales entreprises du marché des plaquettes épitaxiales GaN ainsi que leur analyse SWOT et leurs stratégies de marché. En outre, le rapport se concentre sur les principaux acteurs de l’industrie avec des informations telles que les profils d’entreprise, les composants et services proposés, les informations financières des 3 dernières années et les développements clés des cinq dernières années.
    •  Aixtron •  ALLOS Semiconductors GmbH •  EpiGaN sa •  Infineon Technologies AG •  Koninklijke Philips NV •  Mitsubishi Electric Corporation •  NTT Advanced Technology Corporation •  RF Globalnet •  SweGaN •  Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corporation
L'équipe de recherche et d'analyse dédiée d'Insight Partner est composée de professionnels expérimentés dotés d'une expertise statistique avancée et propose diverses options de personnalisation dans l'étude existante.
Naveen Chittaragi
vice-président,
Étude de marché et conseil

Naveen est un professionnel expérimenté des études de marché et du conseil, fort de plus de 9 ans d'expertise dans des projets personnalisés, syndiqués et de conseil. Actuellement vice-président associé, il a géré avec succès les parties prenantes tout au long de la chaîne de valeur des projets et a rédigé plus de 100 rapports de recherche et plus de 30 missions de conseil. Son expertise couvre des projets industriels et gouvernementaux, contribuant significativement à la réussite de ses clients et à la prise de décision fondée sur les données.

Naveen est titulaire d'un diplôme d'ingénieur en électronique et communication de la VTU, Karnataka, et d'un MBA en marketing et opérations de l'Université de Manipal. Membre actif de l'IEEE depuis 9 ans, il a participé à des conférences et des colloques techniques et s'est porté volontaire au niveau des sections et des régions. Avant d'occuper ce poste, il a travaillé comme consultant stratégique associé chez IndustryARC et comme consultant en serveurs industriels chez Hewlett Packard (HP Global).

  • Analyse historique (2 ans), année de base, prévision (7 ans) avec TCAC
  • Analyse PEST et SWOT
  • Taille du marché Valeur / Volume - Mondial, Régional, Pays
  • Industrie et paysage concurrentiel
  • Ensemble de données Excel

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