Mercado de obleas epitaxiales de GaN: mapeo competitivo y perspectivas estratégicas para 2031

INTRODUCCIÓN AL MERCADO Una oblea de material semiconductor formada mediante crecimiento epitaxial (epitaxia) para su aplicación en fotónica, microelectrónica, espintrónica o fotovoltaica se conoce como oblea epitaxial. El nitruro de galio (GaN), el arseniuro de galio (GaAs) o alguna combinación de los elementos galio, indio, aluminio, nitrógeno, fósforo o arsénico forman las capas epitaxiales. Las principales ventajas del sustrato GaN son la alta movilidad de los electrones, las menores pérdidas de conmutación y menos desajustes de red, lo que está impulsando su uso en campos que incluyen la electrónica de potencia y la optoelectrónica. DINÁMICA DEL MERCADO Debido a su capacidad para funcionar a alta frecuencia y alta temperatura, GaN se usa ampliamente en dispositivos de radiofrecuencia, diodos emisores de luz (LED) y electrónica de potencia. El mercado de obleas epitaxiales de GaN se está viendo impulsado por la creciente popularidad de los LED. Además, los avances en la tecnología de GaN han dado como resultado la creación de sustratos de GaN eficientes con baja densidad de defectos y macrodefectos libres. Como resultado, los sustratos de GaN se utilizan cada vez más para fabricar LED con diámetros de oblea que van desde 2 pulgadas hasta 6 y 8 pulgadas. Durante el período previsto, se espera que el mercado de obleas epitaxiales de GaN aumente debido a la creciente adopción de LED. ÁMBITO DEL MERCADO El "Análisis del mercado global de obleas epitaxiales de GaN hasta 2031" es un estudio especializado y en profundidad del mercado de obleas epitaxiales de GaN con un enfoque especial en el análisis de tendencias del mercado global. El informe tiene como objetivo proporcionar una descripción general del mercado de obleas epitaxiales de GaN con una segmentación detallada del mercado por tipo de producto, tamaño de oblea, aplicación, industria de usuario final y geografía. Se espera que el mercado mundial de obleas epitaxiales de GaN sea testigo de un alto crecimiento durante el período de pronóstico. El informe proporciona estadísticas clave sobre el estado del mercado de los principales actores del mercado de obleas epitaxiales de GaN y ofrece tendencias y oportunidades clave en el mercado de obleas epitaxiales de GaN. SEGMENTACIÓN DEL MERCADO El mercado global de obleas epitaxiales de GaN está segmentado según el tipo de producto, el tamaño de la oblea, la aplicación y la industria del usuario final. Según el tipo de producto, el mercado se segmenta en oblea epitaxial homoepitaxial GAN y oblea epitaxial heteroepitaxial GAN. Según el tamaño de la oblea, el mercado se segmenta en oblea de 2 pulgadas, oblea de 4 pulgadas y oblea de 8 pulgadas o más. Según la aplicación, el mercado se segmenta en LED, láseres, dispositivos de radiofrecuencia, variadores de potencia, transistores y otros. Según la industria del usuario final, el mercado se segmenta en TI y telecomunicaciones, industrial, automotriz, renovable, electrónica de consumo, militar, defensa y aeroespacial, médico y sanitario, y otros. MARCO REGIONAL El informe proporciona una descripción detallada de la industria que incluye información tanto cualitativa como cuantitativa. Proporciona una descripción general y un pronóstico del mercado global de obleas epitaxiales de GaN en función de varios segmentos. También proporciona el tamaño del mercado y estimaciones de pronóstico del año 2017 al 2031 con respecto a cinco regiones principales, a saber; América del Norte, Europa, Asia-Pacífico (APAC), Medio Oriente y África (MEA) y América del Sur. El mercado de obleas epitaxiales de GaN de cada región se subsegmenta posteriormente en los respectivos países y segmentos. El informe cubre el análisis y el pronóstico de 18 países a nivel mundial junto con las tendencias actuales y las oportunidades que prevalecen en la región. El informe analiza los factores que afectan el mercado de obleas epitaxiales de GaN tanto desde el lado de la demanda como de la oferta y evalúa en mayor profundidad la dinámica del mercado que afecta al mercado durante el período de pronóstico, es decir, los impulsores, las restricciones, las oportunidades y las tendencias futuras. El informe también proporciona un análisis PEST exhaustivo para las cinco regiones, a saber; América del Norte, Europa, APAC, MEA y América del Sur después de evaluar los factores políticos, económicos, sociales y tecnológicos que afectan el mercado de obleas epitaxiales de GaN en estas regiones. JUGADORES DEL MERCADO Los informes cubren desarrollos clave en el mercado de obleas epitaxiales de GaN como estrategias de crecimiento orgánico e inorgánico. Varias empresas se están centrando en estrategias de crecimiento orgánico como lanzamientos de productos, aprobaciones de productos y otros como patentes y eventos. Las actividades de estrategias de crecimiento inorgánico observadas en el mercado fueron adquisiciones, asociaciones y colaboraciones. Estas actividades han allanado el camino para la expansión de los negocios y la base de clientes de los actores del mercado. Se prevé que los actores del mercado de obleas epitaxiales de GaN tendrán oportunidades de crecimiento lucrativas en el futuro con la creciente demanda del mercado de obleas epitaxiales de GaN. A continuación se menciona la lista de algunas empresas que participan en el mercado de obleas epitaxiales de GaN. El informe también incluye los perfiles de empresas clave del mercado de obleas epitaxiales de GaN junto con su análisis FODA y estrategias de mercado. Además, el informe se centra en los principales actores de la industria con información como perfiles de empresas, componentes y servicios ofrecidos, información financiera de los últimos 3 años y desarrollos clave en los últimos cinco años.

•  Aixtron •  ALLOS Semiconductors GmbH •  EpiGaN NV •  Infineon Technologies AG •  Koninklijke Philips NV •  Corporación Mitsubishi Electric •  Corporación de Tecnología Avanzada NTT •  RF Globalnet •  Suecia •  Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corporation

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