下一代内存市场基于(关键区域、市场参与者、规模和份额)- 预测至 2031 年

历史数据 : 2021-2022    |    基准年 : 2023    |    预测期 : 2024-2031

下一代内存市场规模和预测(2021-2031 年)、全球和区域份额、趋势和增长机会分析报告范围:类型(非易失性存储器和易失性存储器)和应用(消费电子、工业、汽车和运输、企业存储、军事和航空航天、医疗保健、IT 和电信等)和地理

  • 报告日期 : Dec 2025
  • 报告代码 : TIPTE100000339
  • 类别 : 电子和半导体
  • 状态 : 数据发布
  • 可用报告格式 : pdf-format excel-format
  • 页数 : 150
页面已更新 : May 2024

下一代内存市场规模预计将从 2023 年的 64 亿美元增至 2031 年的 559.6 亿美元。预计 2023-2031 年市场复合年增长率将达到 31.1%。由于对快速访问和低功耗的需求不断增长,以及企业存储、智能手机和智能可穿戴设备的日益普及,下一代内存市场正在不断扩大。

下一代内存市场分析

机器学习 (ML)、人工智能 (AI)、物联网 (IoT)、大数据等新兴技术正在推动对高带宽、可扩展性和低功耗的存储设备的需求。这与对商业存储的需求增加一起,是推动市场增长的主要因素之一。

下一代内存市场概况

下一代内存是目前正在开发的一种尖端计算机内存技术。这些进步克服了 DRAM 和 NAND 闪存等传统内存类型的限制。主要目标是显著改善对业务绩效至关重要的方面,例如速度、耐用性、能源效率和存储容量。这些技术通常提供更高的数据密度,使企业能够在更小的物理空间中存储更多信息。采用这些先进技术可以帮助企业获得竞争优势,实现更快、更高效的数据处理,这在当今数据驱动的行业中至关重要。

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下一代内存市场:战略洞察

Next-Generation Memory Market
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下一代内存市场驱动因素和机遇

市场对能够快速访问且功耗最低的存储设备的需求日益增长

随着企业生成更多数据并使用云存储,对大容量、快速存储内存的需求日益增长。产品性能的进步推动着半导体行业向前发展。新兴的非易失性存储器技术(包括 RRAM、MRAM、FeRAM 和 NRAM)比传统技术具有更高的可扩展性、密度、速度和耐用性,满足了对高速、低功耗和可扩展性的需求。新兴存储器技术的响应时间通常为 1-10 纳秒,以满足命令要求。切换时间是指命令发出后内存满足指定要求所需的时间。

增加嵌入式系统和物联网设备中下一代内存技术的使用。

嵌入式系统中越来越多地采用下一代内存技术。下一代内存越来越多地取代传统内存,为行业参与者提供了巨大的机会。MRAM 和 ReRAM 具有高读取和低功耗、写入速度和非易失性,使其成为嵌入式系统和物联网设备的理想选择。这些内存可以提高智能设备的即时启动功能、能源经济性和数据保留能力。这些内存可以承受大量的读写循环而不会损坏。这种能力对于需要定期更新数据以保持可靠性和使用寿命的物联网和嵌入式设备至关重要。下一代内存技术(如 MRAM 和 ReRAM)提供低延迟和高速访问,从而实现内存计算。

下一代内存市场报告细分分析

有助于得出下一代存储器市场分析的关键部分是类型和应用。

  • 根据类型,下一代存储器市场分为非易失性存储器和易失性存储器。
  • 根据应用,市场分为消费电子、工业、汽车和运输、企业存储、军事和航空航天、医疗保健、IT 和电信等。

下一代内存市场份额(按地区)分析

下一代内存市场报告的地理范围主要分为五个区域:北美、亚太、欧洲、中东和非洲以及南美/南美和中美。北美地区是下一代技术和基础设施的早期用户。信息技术行业对美国经济贡献巨大。快速发展的技术和企业间数据生成的增加需要更高效的处理解决方案。这些变量推动了区域对下一代内存市场的需求。

 

下一代内存市场区域洞察

Insight Partners 的分析师已详尽解释了预测期内影响下一代内存市场的区域趋势和因素。本节还讨论了北美、欧洲、亚太地区、中东和非洲以及南美和中美洲的下一代内存市场细分和地理位置。

Next-Generation Memory Market
  • 获取下一代内存市场的区域特定数据

下一代内存市场报告范围

报告属性细节
2023 年的市场规模64亿美元
2031 年市场规模559.6亿美元
全球复合年增长率(2023 - 2031)31.1%
史料2021-2022
预测期2024-2031
涵盖的领域按类型
  • 非易失性存储器和易失性存储器
按应用
  • 消费电子产品
  • 工业的
  • 汽车和运输
  • 企业存储
  • 军事与航空航天
  • 卫生保健
  • 信息技术和电信
覆盖地区和国家北美
  • 我们
  • 加拿大
  • 墨西哥
欧洲
  • 英国
  • 德国
  • 法国
  • 俄罗斯
  • 意大利
  • 欧洲其他地区
亚太
  • 中国
  • 印度
  • 日本
  • 澳大利亚
  • 亚太其他地区
南美洲和中美洲
  • 巴西
  • 阿根廷
  • 南美洲和中美洲其他地区
中东和非洲
  • 南非
  • 沙特阿拉伯
  • 阿联酋
  • 中东和非洲其他地区
市场领导者和主要公司简介
  • 三星
  • 美光科技有限公司
  • 富士通
  • SK海力士公司
  • 霍尼韦尔国际公司
  • 微芯片科技公司
  • Everspin 技术公司
  • 英飞凌科技股份公司
  • 金士顿科技欧洲有限公司
  • KIOXIA 新加坡私人有限公司

 

下一代内存市场参与者密度:了解其对业务动态的影响

下一代内存市场正在快速增长,这得益于终端用户需求的不断增长,而这些需求又源于消费者偏好的不断变化、技术进步以及对产品优势的认识不断提高等因素。随着需求的增加,企业正在扩大其产品范围,进行创新以满足消费者的需求,并利用新兴趋势,从而进一步推动市场增长。

市场参与者密度是指在特定市场或行业内运营的企业或公司的分布情况。它表明在给定市场空间中,相对于其规模或总市场价值,有多少竞争对手(市场参与者)存在。

在下一代内存市场运营的主要公司有:

  1. 三星
  2. 美光科技有限公司
  3. 富士通
  4. SK海力士公司
  5. 霍尼韦尔国际公司
  6. 微芯片科技公司

免责声明上面列出的公司没有按照任何特定顺序排列。


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  • 了解下一代内存市场的主要参与者概况

下一代内存市场新闻和最新发展

下一代内存市场的评估是通过收集一手和二手研究后的定性和定量数据进行的,其中包括重要的公司出版物、协会数据和数据库。以下是市场发展情况的列表:

  • 2023 年 8 月,SK 海力士公司凭借其下一代高带宽存储器 (HBM) 引发了半导体技术竞赛的竞争。SK 海力士已成功开发出第五代 DRAM 产品 HBM3E,该产品专为高性能人工智能 (AI) 应用而打造。HBM 是一种实用且高性能的设备,它通过垂直集成许多 DRAM 来加速数据处理,性能优于传统 DRAM。

(来源:SK Hynix Inc,公司网站,2023 年)

  • 2023年10月,三星在内存技术日上发布了其下一代内存解决方案,旨在为超大规模应用提供复杂的人工智能模型方面发挥重要作用。该公司展示了一系列尖端内存解决方案,包括最新的 Shinebolt HBM3e 内存、基于 LPDDR 封装模块的 LPDDR5X CAMM2 解决方案以及可拆卸的 AutoSSD。

(来源:三星,公司网站,2021 年)

下一代内存市场报告覆盖范围和交付成果

“下一代内存市场规模和预测(2021-2031)”报告对以下领域进行了详细的市场分析:

  • 范围内涵盖的所有主要细分市场的全球、区域和国家层面的市场规模和预测
  • 市场动态,如驱动因素、限制因素和关键机遇
  • 未来主要趋势
  • 详细的 PEST/波特五力分析和 SWOT 分析
  • 全球和区域市场分析涵盖关键市场趋势、主要参与者、法规和最新市场发展
  • 行业格局和竞争分析,涵盖市场集中度、热点图分析、知名参与者和最新发展
  • 详细的公司简介
纳文·奇塔拉吉
副总裁,
市场研究与咨询

Naveen 是一位经验丰富的市场研究和咨询专业人士,在定制项目、联合项目和咨询项目方面拥有超过 9 年的专业经验。他目前担任副总裁,成功管理了项目价值链中的利益相关者,撰写了 100 多份研究报告和 30 多项咨询项目。他的工作涵盖工业和政府项目,为客户的成功和数据驱动的决策做出了重要贡献。

Naveen 拥有卡纳塔克邦 VTU 的电子与通信工程学位,以及马尼帕尔大学的市场营销与运营 MBA 学位。他已担任 IEEE 会员 9 年,积极参与各种会议、技术研讨会,并在分部和地区层面担任志愿者。在此之前,他曾担任 IndustryARC 的助理战略顾问和惠普(惠普全球)的工业服务器顾问。

  • 历史分析(2 年)、基准年、预测(7 年)及复合年增长率
  • PEST和SWOT分析
  • 市场规模、价值/数量 - 全球、区域、国家
  • 行业和竞争格局
  • Excel 数据集

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